偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
技术简介： 本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC？PiN/肖特基二极管。它包括N+？4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于双park变换鉴相器的单相锁相环及其方法,该双park变换鉴相器包括第一park、第二park、第一低通滤波器LPF1和第二低通滤波LPF2,第一park和第二park的d轴同时与第一加法器M1输…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件,包括在n+硅衬底层上面连接有n-外延层,n-外延层的上方设置有平面栅极G,平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一个p基区,每个p基区内设置有n+源区,在表面处n+…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种自动清洗式蒸发结晶装置,上部是降膜蒸发器,降膜蒸发器的中心是除沫器,下部是结晶底罐,外部是蒸发结晶装置的循环系统和料液进出的计量与管阀系统。结构特征是降膜蒸发器、结晶底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种功能化的Si基板表面制备图案化BiFeO3薄膜的方法,该方法包括下述步骤：步骤一：选用Si基片为基底,将切割好的Si基片分别超声波清洗,吹干,紫外光照射仪中照射;步骤二：将经紫外光…… 查看详细 >
技术简介： 一种具有延伸栅结构的SOILDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOILDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属机电一体化技术领域。目前，国内金属标签打字设备十分奇缺，绝大多数企业的标签是靠手工打字或是简单的机械装置，字迹模糊不清，排列不齐，自动化水平与生产效率低，工人劳动强度大。该…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景①课题来源：自选②背景：目前,LED器件的横向扩展都不好,原因在于电极之间的水平间隔为半导体薄膜厚度的数十倍,导致电流在在纵向上,已经到达器件的有源区时,横向仍远未达到均…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法,主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层（1）、高温AlN成核层（2）、n型GaN层（3）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域,公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法,包括下列步骤：a、制备复合纳米金刚石浆料;b、丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜;c、印刷…… 查看详细 >
技术简介： 本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe…… 查看详细 >
技术简介： 一种BCD器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中,高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN…… 查看详细 >