技术简介： 本发明公开了一种无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法。该荧光灯在两片玻璃基板内侧面均配置了荧光粉层，后玻璃基板上配置了障壁和边框作为支撑体。将前后两基板对位、封接成一个整体，…… 查看详细 >
技术简介： 煤矿瓦斯事故是煤矿安全的最大威胁之一，事故破坏性强，灾后可救援性差，严重制约着我国煤矿安全生产和煤炭经济的健康发展。预防瓦斯事故，关键在于准确、及时的瓦斯浓度监测与检测。因而先进、…… 查看详细 >
基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势…… 查看详细 >
技术简介： OLED因其具有成本低、主动发光、全固态、低电压驱动、高效率、及可实现柔性显示等特点可以广泛应用于平板显示及固态照明领域。其中白光OLED应用于照明领域，是一种具有节能、环保、高品质及柔性…… 查看详细 >
技术简介： 一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法，用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形，作为一个电子谐振器，用于吸收特定频率的太赫兹波；第二层是复合薄…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件…… 查看详细 >
技术简介： 压敏电阻作为电器保护器件应用广泛：移动电话、汽车电气、芯片保护、抗雷击、尖脉冲抑制、家电保护等。由于集成工艺不断发展，集成电路芯片尺寸越来越小，工作电压也越来越低，因此极需阈值电压…… 查看详细 >
技术简介： 一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构,其中所述Se…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱…… 查看详细 >
技术简介： 该项目主要是研制开发了一种新颖、先进的环保设备,它可以用来处理水和空气中难以降解的有机污染物、菌类和藻类。纳米催化剂材料在光激发下具有很强的氧化能力,能够将污染物氧化直至完全矿化,没…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是关于一种基于电荷泵的白光LED驱动系统,在普通的白光LED驱动电路的基础上,采用1X/1.5X自适应电荷泵,可根据输入电压的变化自动变换工作模式,大大提高了电源转化效率;在整个电源供电范围（…… 查看详细 >