技术简介： 本发明公开了一种制备薄膜电极的辅助装置,包括底盘,底盘具有用于支撑上下叠加设置的掩膜板和衬底的支撑端面,底盘上还设置有用于对掩膜板施加朝向衬底压紧的压紧力的压紧机构,所述压紧机构包括用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了提供了一种制造气体敏感复合薄膜的方法,包括：将氧化物纳米结构材料分散于有机溶剂中,获得纳米结构材料分散液;将纳米结构材料分散液铺展于LB膜槽中形成氧化物纳米结构有序层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为SI、蓝宝石、SRRUO3或其它钙钛矿氧化物衬底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底（1）、第一层AlGaN/GaN…… 查看详细 >
技术简介： 本成果提出了一种新型的透明导电薄膜的制造方法,主要应用领域触控与显示、薄膜太阳能电池、OLED透明电极、柔性电子等领域。可替代现有行业采用的ITO（氧化铟锡）透明导电材料,突破了ITO材料应用…… 查看详细 >
技术简介： 本项目提供一种增强型硅基光电二极管及其制作方法,以实现紫外光电二极管结构简单、制作容易,且具有高紫外选择性、高紫外响应度、低响应时间等优点。光电二极管包括P型衬底,P型衬底上设有高压深N…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种弓网电弧等离子体多参数获取方法和装置,包括电弧光谱采集装置、电气参数测量装置、物理参数测量装置、数字延迟发生器;受电弓滑板与接触网导线与电气参数测量装置和物理参数测量…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于P型Ga2O3材料的复合型双栅NMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取P型半绝缘衬底,采用分子束外延生长P型β-Ga2O3层;采用干法刻蚀形成台面,制作出有源区;在两侧利用离子注入工…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于弧形源场板的垂直结构电力电子器件,其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左、右两个对称的电流阻挡层（4）、沟道层（6）、势垒层（7）和钝化层（12）,沟道层（6…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种电极引线及微桥结构中的电极引线的制备方法,属于电极引线及微桥结构中的电极引线技术领域,该制备方法有效的增强了电连接的稳定性和均匀性,简化了电极引线的制备工艺。本发明中…… 查看详细 >
技术简介： 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是：以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3…… 查看详细 >
技术简介： 该系统集全球定位(GPS)、通信、网络及计算机技术为一体，能对移动目标(例如车辆、船只等)进行实时定位、导航、跟踪、监控、报警、管理等，并提供信息服务。技术特点(或优势)及应用领域：在监控…… 查看详细 >