技术简介： 该放大器采用性能优良、噪声系数低的GaAsFET放大管NE32584和NE42484作基本放大单元，输入信号经电桥分为两路输入，分别进行两级低噪声放大，再经电桥由两路信号合成为一路输出。由于采用电桥分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种读出电路逐点偏压的控制方法及其DAC结构，其中DAC结构包括在正基准电压和负基准电压之间连接2-N个串联成的电阻串，其中N为DAC的位数，将相邻两个电阻之间构成的2-N-1个分压连接…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于射频微机电开关的螺旋五位分布式微机电移相器，主要解决工作频率低、面积大、可靠性低和信号易失真的现有问题。其包括：基板（45）、基板绝缘层（47）、共面波导左右地线（…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于贝叶斯非局部均值滤波器的实现方法,它属于图像处理技术领域,主要克服现有SAR图像去斑结果中细节保持与平滑程度的矛盾问题。其实现过程是：（1）对输入SAR图像的一个像素点,…… 查看详细 >
技术简介： 1.简要技术说明本项目将跳时脉冲位置调制（TH-PPM）理论与窄脉冲产生技术结合,以双非门结构构成UWB脉冲产生电路,完成了TH-PPM-UWB脉冲发生器的设计。该脉冲发生器体积小,结构简单,便于集成,工程…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于乘性重复的多元极化码生成矩阵的构造方法,主要解决现有多元极化码译码复杂度过高问题,其方案是：根据多元极化码的调制阶数m确定多元域大小q;根据多元域大小q构造有限域GF（…… 查看详细 >
技术简介： 时栅位移传感器的特点在于：因为无需高精度机械加工而实现高精度和高分辨率，从而具有价格特别低（约为光栅的1/10），结构简单，抗干扰力强，智能化程度高等显著特点。目前开发的时栅系统主要应…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种兼容两代DVB-RCS的Turbo译码装置及方法,本发明装置包括包括十六个模块：速率匹配模块、两个交织模块、解交织模块、八个存储模块、数据选择模块、后向度量计算模块、外信息计算…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体发光器件技术领域,公开了一种MicroLED显示芯片及其制备方法。MicroLED芯片阵列置于驱动面板上,由若干规则排布的倒梯形的三基色薄膜倒装MicroLED芯片组成,每个MicroLED芯片的梯…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多脉冲星信号模拟器。它包括：数值模拟单元、第一频率综合单元、激光调制单元、激光发射单元、探测器单元、第二频率综合单元和光子计数逻辑单元;数值模拟单元使用第一频率综合…… 查看详细 >
技术简介： （1）用模拟存储器取代MCXO中的数字存储器和CPU来获得同样的高精度。这样的温补晶振成本低而且功耗在所有的温补晶振中是最低的。由SCI检索的国际权威刊物IEEEUFFC会刊在显著位置中刊登了我们这…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种包括多个晶体管的放大器,该放大器具有第一电源端、第二电源端、第三电源端和第四电源端。该放大器的第三电源端和第四电源端可以耦接至动态电源,从而在提高该放大器效率的同时避…… 查看详细 >