技术简介： 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层…… 查看详细 >
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
技术简介： 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法，包括以下步骤首先通过绘图软件设计所需的刻蚀图案，然后在清洗过后的硅表面均匀涂覆一层紫外光刻胶，经过紫外曝光，通过显影液显影将绘图软…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/C…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种数字喷射雾化沉积装置雾化沉积装置包括数字流体发生器、数字射流导管、雾化气体喷射管和沉积靶。数字流体发生器产生稳定的气泡和液滴间隔流动，并由数字射流导管向雾化气体…… 查看详细 >
一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层、空…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型涉及一种折叠式犬固定器固定器包括支架、承重布、铁片和横轴，特征是外侧支架和内侧支架在其竖梁中间靠上处铰接，在外侧支架的横梁上铰接两个皮带，在内侧支架横梁上铰接两个皮…… 查看详细 >