技术简介： 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条。将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种埋入芯片式封装基板的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）提供辅助板和选取临时粘膜；2）形成临时粘膜；3）制作金属线路层；4）扣压辅助板；5）制作凹型空腔结构；6）电气互…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口，其窗口的主体由等离子体纵向引射式气动窗口组成，利用了超音速等离子体的动能压力和等离子体高温双重隔离作用，引出窗口能获得极大的真空…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种简易集电体组装设备，其包括冲压机构、集电子定位机构以及密封圈定位机构；所述冲压机构包括上杆，上杆的底部中心安装有用于底盖上端面定位的磁铁；集电子定位机构包括支撑…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成；所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星；所述弧形六角星为由六…… 查看详细 >
技术简介： 技术领域本发明涉及供排水领域，具体涉及一种水厂加药控制方法及系统、计算机可读存储介质。背景技术现在普遍的水厂，一般采用的技术是结合国家标准（GB/T22627-2014和备注；这里两个标准前面的…… 查看详细 >
技术简介： 一种电动车充电桩用安装底座，属于充电桩领域，该装置，包括滑架和桩体，所述滑架内部开设有贯通顶部的第一凸型槽，所述桩体底部固定连接有移动板，所述移动板滑动在第一凸型槽内部；所述滑架一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种利用微波进行生物质碳化的设备，属于机械技术领域。它解决了现有碳化设备存在效率低、余热无法回收等技术问题。本利用微波进行生物质碳化的设备，包括机架，在机架上设置有进料…… 查看详细 >
技术简介： 一种热镦自动成型装置，包括上模、下模及左右定位，上模底部加工上模腔，下模顶部加工下模腔，下模的中心加工顶轴孔，下模在顶轴孔的两侧加工翻转杆上孔，顶轴安装于顶轴孔内并通过法兰固定，顶…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种用于快递包装的全自动包装机，包括传送带、控制电箱、刀片与输出导板，所述传送带的上方活动安装有包装膜卷筒，且包装膜卷筒的两侧中心处均固定安装有支撑斜杆，所述包装膜…… 查看详细 >