技术简介： 摘要：本发明属于一种含有金属氧化物修饰层的有机电致发光器件及其制备方法。采用夹层结构，把金属氧化物薄膜热蒸发在阳极ITO和空穴传输层之间，制备成结构为铟锡氧化物ITO/金属氧化物/N，N’－…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构，把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上，制备成金属接触…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请公开了一种钙钛矿薄膜的制作方法，包括步骤：s1、在第一基底上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的一种或多种的混合物；s2、在第二基底上形成第二膜层，所述第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纳流控二极管，其包括纳米管道，所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明还提供了该纳流控二极管的制备方法，其…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种新型透明基板LED封装结构，包括透明基板及一个以上LED芯片，所述透明基板的第一面上分布有一个以上透明平台状凸起部，每一凸起部上端面均直接安装有一LED芯片，其中…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构，包括基座以及，安装在基座上的HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成…… 查看详细 >