技术简介： 本发明涉及一种大尺寸块体纳米镁合金制备方法（专利号201210349709.3）。合金质量百分成分为：Gd：6-13%，Y：2-6%，Zr：0.3-0.8%,其余为Mg及不可去除的杂质元素，将镁合金坯料在400-450℃进行预…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种TC18钛合金热处理工艺（专利号201410136849.1），属材料技术领域。本发明方法：首先将TC18钛合金在Tβ-60℃～Tβ-100℃（Tβ为合金β相转变温度）保温2～8h后，采取空冷或水冷冷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明描述了一种铟锡氧化物靶材的制备方法（专利号201210424320.0）。该方法以纯度大于99.99%、平均粒径0.02~2微米的铟锡氧化物粉末作为主原料，与由纯水、水溶性环氧树脂和分散剂制成的预混液…… 查看详细 >
一种在镁基复合材料表面制备Ti/TiO2或TiN生物相容性膜层的方法
技术简介： 本发明公开了一种在镁基复合材料表面获得Ti/TiO2或TiN膜层的方法（专利号201310169315.4），该膜层具有良好的生物相容性，与镁基体材料结合紧密，可以阻止或延缓镁基体材料在体液中的腐蚀。如果…… 查看详细 >
技术简介： 碳/碳复合材料平板的快速化学气相渗制备方法（专利号200810143540.X），包括下述步骤：1)在化学气相渗碳炉中，垂直于炉底设置一平板发热体；2)在平板发热体两侧各设置一固定承台，在每一个承台…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法（专利号201310229037.7），所制备的C/SiC涂层材料与基体结合紧密，分为典型的三区结构：界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区，涂层的致密外…… 查看详细 >
技术简介： 一种化学气相渗透增密用多料柱式工业炉（专利号201110152472.5），包括炉盖、炉体和炉座，所述炉盖、炉体连接为一体，在所述炉盖、炉体中设有保温罩组成钟罩式结构而整体坐装在所述炉座上；在所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种在Mg-Gd-Y-Zr(wt.％)镁合金上化学镀镍的方法（专利号201010221683.5），该方法是先对镁合金基体进行镀前预处理，然后化学镀镍沉积出化学镀镍层。所述镀前预处理，包括除油、活化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铌合金高温抗氧化硅化物涂层的制备方法（专利号200710192652.X），首先在铌合金基体表层通过真空烧结粒度大部分在0.6～1.0μm之间且厚度在50μm～80μm的钼层，然后在氩气保护…… 查看详细 >
技术简介： 一种梯度结构硬质合金的制备方法（专利号201010528070.6），先通过表面氧化的方法使硬质合金表面一定深度内脱碳得到梯度合金前驱体，即把标准硬质合金埋在一定比例的Mg(OH)2和Al2O3的混合填料内…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了铝基水滑石的一种制备方法（专利号201210428482.1）。将Na2CO3和偏铝酸钠分别溶于去离子水中，再制成偏铝酸钠和Na2CO3的混合溶液作为电解液；以可形成二价离子的金属为电解电源的阳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有序有机半导体单晶薄膜阵列的制备方法（专利号201410013952.7）；制备方法是先通过温度梯度法气相沉积或气相传输沉积经过可控生长制备出大尺寸、高长宽比的棒状单晶；再通过溶…… 查看详细 >