技术简介： 摘要：本实用新型公开一种极片运动式锌空电池装置，其特征在于该装置主要包括放卷机构、阳极板、传动机构、阴极板、电池槽、收卷机构和箱体，所述阳极板采用片式结构，包括阳极集流体和锌膏,制…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明Fe‑Cr‑Co型合金薄带磁体的制备方法，涉及含铬和钴的铁基合金，是一种添加Si和/或Ti的Fe‑Cr‑Co型合金薄带磁体制备方法，步骤是按照质量百分比(60.5‑0.5y+z)Fe‑(27.5‑x‑0.5y…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明为一种提升铝合金力学性能的复合细化变质方法。该方法包括以下步骤将A356.2合金熔化，精炼3～5min；再依次将Al‑2Sc中间合金和Al‑10Sr中间合金加入到合金液中，其中，Sc的质量百分…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明碳纳米管增强介孔羟基磷灰石复合材料的制备方法，涉及用于假体材料的复合材料，是一种通过原位合成法制备碳纳米管‑羟基磷灰石复合粉末基础上，利用均匀沉淀法与水凝胶法相结合的工…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层搅拌棒及其制备方法与应用。氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层搅拌棒包括玻璃毛细管、铁芯和萃取涂层，铁芯置于两端熔封的玻璃毛细管内，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种壳聚糖纳米保鲜涂膜材料的制备方法，包括以下步骤：（a）将两亲性壳聚糖衍生物溶于水，搅拌，加入亲水性壳聚糖衍生物，搅拌，得纳米粒子共混液；（b）在所述纳米粒子共混…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了InGaAs薄膜，依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生…… 查看详细 >
一种含有S,S‑二氧‑二苯噻吩的嵌段共聚物发光材料及其制备方法与应用
技术简介： 摘要：本发明公开了一种含有S,S‑二氧‑二苯噻吩的嵌段共聚物发光材料及其制备方法与应用。本发明在以含S,S‑二氧‑二苯噻吩的嵌段聚合物为激发态分子，通过与基态分子之间的偶极‑偶极作用，而…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种光电材料及其制备方法与在有机电子器件中的应用。该制备方法是先制备M1或M2的卤代物：以M1或M2单体为原料，加入N‐溴代琥珀酰亚胺或者液溴，在浓硫酸或者过氧化氢的有机…… 查看详细 >
含6-R基-[1,2,5]噻唑[3,4-g]苯并三唑的有机半导体材料及其应用
技术简介： 摘要：本发明提供一种含6-R基-[1,2,5]噻唑[3,4-g]苯并三唑的有机半导体材料及其应用。以苯并噻二唑为母体，经过苯并噻二唑硝化后还原、关环形成苯并三唑衍生物，最后将N原子上的H经过烷基化反应…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了POSS基杂化含氟丙烯酸酯树脂及其制备方法与应用。以重量百分比计，该树脂配方为：POSS基单体占0.9～14%，硬单体占1.5～10%，软单体占2.5～14%，丙烯酸高级酯类单体占4～10.5%…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种高封闭性聚丙烯酸酯分散体及其制备方法。采用阴离子型乳化剂和复合非离子型乳化剂组成的多元乳化剂体系，控制乳化剂在不同聚合阶段的加料工艺及组分，通过半连续种子乳液聚…… 查看详细 >