技术简介： 本发明公开了一种直拉式磁保持继电器（专利号201210454810.5），包括电磁系统、触点组和防磁罩，电磁系统包括罩壳、上盖、线圈骨架、第一扼铁、第二扼铁、铁芯、连接杆、引线脚、第一推动片、第…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种插针式正交模耦合器，该耦合器的主部内设有一个T形的三通道。该三通道的水平通道的左端为公共端口，右端为水平端口。三通道的垂直通道下端即与水平通道部分相交处为耦合谐振…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种超宽带人工表面等离子激元弯曲波导，主要由介质基板层和金属箔层构成。介质基板层和金属箔层均为直角弯板，金属箔层印制于介质基板的其中一侧表面上。金属箔层的表面蚀刻有波导结…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型为一种双带动态可调的太赫兹带通滤波器，有多个相连的阵列单元的二维阵列位于硅基底的通孔上，每个阵列单元包括两个开口环谐振器和一个一字形结构，均为顶面金属层的硅主体，高度相同…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环长底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器，硅基底有通孔，其上为二维阵列，太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。矩形可动框架套在二维阵列外，框架左右…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种Ka波段圆波导TE01模式激励器，由正交波导、矩形阶梯波导、均匀方波导、骨形阶梯波导和均匀圆波导组成。正交波导的一个端口形成模式激励器的输入端口；正交波导的另一端口与矩形阶…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种面向可延展电子的柔性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均呈多边形棱柱状；所有岛屿在薄膜基底的至少一侧表面上呈蜂窝状阵列排布；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种加热光照控制合成的金纳米颗粒阵列结构及其合成方法，所述方法包括：将氯金酸水溶液滴在嵌段共聚物的有序图案模板上得到混合体系，将混合体系同时进行光照和加热，得到金纳米颗粒…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种玻璃基仿生微纳通道及其制作方法，该微纳通道为采用组分均匀一致并且光学和力学性能优良的玻璃材料加工而成的微纳通道，该微纳通道的横截面呈规整圆形，微纳通道上具有各种尺寸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种大面积多孔微纳复合结构的可控制备方法，该方法通过光刻法得到微米结构，通过阳极氧化法生长纳米结构，形成微纳复合结构。本方法采用光刻、腐蚀和阳极氧化的方式，使得微…… 查看详细 >