技术简介： 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法，属于金属‑陶瓷复合材料复杂零件近净成形技术领域。采用的技术方案为通过光固化快速成型技术来制备内部具有层状结构的陶瓷浆料凝胶注模…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法。首先在TiO2、BaCO3的基料中掺入Sn4+离子，采用传统固相合成制备工艺，预烧后获得具有不同居里温度的钛酸钡基陶瓷粉料；其…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法，该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBaSnO3，x为摩尔百分比，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用固相合成的制备方法，得到了具有低电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法，首先采用传统固相合成的方法，配制出不同组分的陶瓷样品；其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系；然后…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超高介电常数介电材料及其制备方法，该介电材料的化学式为BaTi1‑xHfxO3，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用传统的固相合成的制备方法，得到了具有超高介电常数的介电陶瓷。本发明…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法，本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料；其…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低温烧结LTCC微波介质陶瓷材料，制得该材料由原材料Li2CO3、Nb2O5和TiO2按摩尔比：Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2＝x∶1∶y配制，其中，5.5＜x≤6，7＜y≤7.5；所构成的分子结构表达式为…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型的氧化铝基陶瓷型芯制造方法，首先利用快速成型制造技术快速制备具有复杂中空结构的陶瓷型芯树脂模具，然后配制氧化铝基陶瓷浆料，将陶瓷浆料在真空、振动条件下压注到陶瓷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为了解决现有临界温度热敏陶瓷所存在的临界温度低的问题，公开了一种适于高温范围应用的临界负温度系数热敏电阻陶瓷材料：按质量百分数，包括下述组分：Ni2O35～20％，Cr2O35～35％，Fe2O…… 查看详细 >